Всего на сайте:
282 тыс. 988 статей

Главная | Электроника

И интегральных микросхем  Просмотрен 30

 

Современные отечественные полупроводниковые приборы и интегральные микросхемы обозначают кодом, состоящим из букв русского алфавита и цифр.

Первый элемент обозначения полупроводниковых приборов (буква или цифра) определяет исходный полупроводниковый материал: Г или 1 германий; К или 2 кремний; А или 3 соединения галлия; И или 4 соединения индия.

Второй элемент (буква) определяет подкласс прибора: Т биполярные транзисторы; П полевые транзисторы; Д диоды выпрямительные; Ц выпрямительные столбы и блоки; А диоды сверхвысокочастотные; И диоды туннельные; В варикапы; С стабилитроны; Н тиристоры диодные; У тиристоры триодные; Л светоизлучающие приборы; О оптоэлектронные пары.

Третий элемент (цифра) обозначает один из характерных признаков прибора (назначение, принцип действия и др.). Например, цифра третьего элемента маркировки транзистора указывает на его мощностные и частотные свойства. Маломощные транзисторы (с мощностью рассеяния до 0,3 Вт) обозначены цифрами 1 (низкочастотные до 3 МГц), 2 (среднечастотные до 30 МГц) и 3 (высоко- и сверхвысокочастотные свыше 30 МГц). Аналогично цифрами 4, 5, и 6 подразделены по частоте транзисторы средней мощности (от 0,3 до 1,5 Вт), а цифрами 7,8 и 9 – мощные транзисторы (свыше 1,5 Вт). При обозначении оптопар вместо цифр используют буквы: Р резисторные оптопары; Д диодные; У тиристорные; Т транзисторные.

Четвертый элемент (двузначное или трехзначное число) обозначает порядковый номер разработки прибора в данной серии.

Пятый элемент (буква) указывает на классификацию по параметрам (коэффициент передачи тока, напряжение стабилизации и др.).

В соответствии с указанной системой маркировки обозначение ГТЗО8В принадлежит германиевому (Г) транзистору (Т), высокочастотному, малой мощности (3), номер разработки 08, с коэффициентом передачи тока базы 50…120 (В); обозначение КД202Р соответствует кремниевому (К) выпрямительному диоду (Д) средней мощности (2), номер разработки 02, с максимально допустимым обратным напряжением 600 В (Р).

В обозначении полупроводниковых фотоэлектрических приборов первый элемент (две буквы) означает группу приборов: ФР – фоторезисторы, ФД – фотоприемники с p–n-переходом без усиления (фотодиоды).

Второй элемент (буквы) означает материал, из которого изготовлен прибор: ГО германий; ГБ германий, легированный бором. ГЗ германий, легированный золотом; К кремний; КГ кремний, легированный галлием; РГ арсенид галлия и т.д.

Третий элемент (трехзначное число) является порядковым номером разработки прибора.

Четвертый элемент (буква) означает подгруппу полупроводниковых фотоэлектрических приборов: У фототранзисторы униполярные: Б фототранзисторы биполярные; Л фотодиоды лавинные; Т фототиристоры и т.д.

Пример обозначения: ФДГЗ-001К фотодиод из германия, легиро­ванного золотом, координатный, номер разработки 001.

Обозначение интегральных микросхем состоит из четырех элементов.

Первый элемент (цифра) обозначает группу ИМС: 1,5,7 полупроводниковые; 2,4,6,8 гибридные; 3 прочие (например, пленочные).

Второй элемент (двух- или трехзначное число) означает номер разработки.

Третий элемент (две буквы) определяет подгруппу и вид ИМС по функциональному назначению: ЛИ логический элемент И, ТД триггер динамический, ИР цифрой регистр и т.д.

Четвертый элемент порядковый номер ИМС в серии по функциональному признаку.

Различные буквы (например, К, КР) перед условным обозначением некоторых серий микросхем определяют характерные их особенности. Для бескорпусных микросхем перед обозначением добавляют букву Б.

В качестве примера приведем условные обозначения полупроводниковой и гибридной ИМС. Так, микросхема К140УД14А означает: К микросхема для электронных устройств широкого применения, 1 полупроводниковая, 40 порядковый номер серии(серия 140), УД операционный усилитель, 14 порядковый номер операционного усилителя в серии 140, А с коэффициентом усиления определенного значения. Шифр микросхемы 284КН1 означает: 2 гибридная, 84 порядковый номер серии (серия 284), КН коммутаторы, 1 порядковый номер коммутатора в серии 284.

 

 

Вопросы для самопроверки:

1. Где применяются диоды Шоттки?

2. Что собой представляет варикап?

3. В чём заключаются различия передаточных характеристик полевых транзисторов с управляющим p–n переходом и с изолированным затвором?

4. В чём заключаются отличия IGBT-транзисторов от полевых транзисторов?

5. В чём заключаются отличия симистора от тиристора?

6. Какие транзисторы имеют более высокое быстродействие – БТИЗ или ПТИЗ.


Предыдущая статья:Интегральные микросхемы Следующая статья:Электронные усилители
page speed (0.0507 sec, direct)