Всего на сайте:
282 тыс. 988 статей

Главная | Электроника

Слайд 9  Просмотрен 156

Рис. 5.5. Схема замещения полевого транзистора с р-п-переходом в области высоких (а) и низких (б) частот

Схема замещения полевого транзистора с р-п-переходом показана на рис. 5.5, а Она характеризует работу транзистора на участке II выходных характеристик для переменных составляющих тока и напряжения. При ее построении были использованы следующие соображения. Ток прибора на участке II определяется напряжением на затворе (входе) и крутизной, в связи с чем в выходную цепь схемы замещения введен источник тока Suвх. Параллельно источнику тока включено сопротивление ri, учитывающее влияние напряжения стока на ток прибора. Величины Сзи, Сзс, Сси отражают влияние межэлектродных емкостей на работу транзистора в области высоких частот. Для области низких частот схема замещения полевого транзистора принимает вид, показанный на рис. 5.5, б

Предыдущая статья:Слайд 6 Следующая статья:Слайд 10
page speed (0.0131 sec, direct)