Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Слайд 21  Просмотрен 95

Из принципа действия транзистора известно, что через вывод базы протекают во встречном направлении две составляющие тока (см. рис. 4.8): обратный ток коллекторного перехода I к0 и часть тока эмиттера (1 – α)Iэ. В связи с этим нулевое значение тока базы (Iб = 0) определяется равенством указанных составляющих токов, т.е. (1 – α)Iэ = Iко. Нулевому входному току соответствуют ток эмиттера Iэ = Iк0/(1 – α) = (1 + β)Iк0 и ток коллектора Iк = αIэ + Iк0 = αIк0/(1 – α) + Iк0 = (1 + β)Iк0. Иными словами, при нулевом токе базы через транзистор в схеме ОЭ протекает ток, называемый начальным или сквозным током Iк0(э) и равным (1 + β)Iк0.

Этим обусловливается наличие третьей составляющей тока Iк в выражениях (4.12) и (4.12 а). Таким образом, ток коллектора при входном токе, равном нулю, в схеме ОЭ в 1 + β раз больше, чем в схеме ОБ.

Если же эмиттерный переход перевести в непроводящее состояние, т.е. подать напряжение Uбэ ≥ 0, то ток коллектора снизится до Iк0 (рис. 4.9, а) и будет определяться обратным (тепловым) током коллекторного перехода, протекающим по цепи база — коллектор. Область характеристик, лежащая ниже характеристики, соответствующей Iб = 0, называют областью отсечки.

Коллекторные характеристики в схеме ОЭ, так же как и в схеме ОБ, подвержены температурным смещениям. Однако температурные воздействия здесь проявляются сильнее, чем в схеме ОБ. Это обусловлено, во-первых, наличием множителя 1 + β перед Iк0 в формуле (4.12) и, во-вторых, более сильными температурными изменениями коэффициента β = α / (1 – α) при относительно малых температурных изменениях коэффициента α.

Необходимо указать и на тот факт, что в схеме ОЭ пробой коллекторного перехода наступает при коллекторном напряжении в 1,5—2 раза меньшем, чем в схеме ОБ.


Предыдущая статья:Выходные характеристики в схеме с ОЭ Следующая статья:Слайд 22
page speed (0.0491 sec, direct)