Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Выходные характеристики в схеме с ОЭ  Просмотрен 106

Рис. 4.9. Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОЭ

Выходные характеристики транзистора в схеме ОЭ определяют зависимость коллекторного тока Iк = F(Uкэ) при Iб = const (рис. 4.9, а). Как и для схемы ОБ, здесь можно выделить три характерные области: I — начальная область, II — относительно слабая зависимость Iк от Uкэ, III — пробой коллекторного перехода.

Коллекторные характеристики транзистора в схеме ОЭ отличаются от соответствующих характеристик в схеме ОБ. В частности, они начинаются из начала координат и участок I располагается в первом квадранте. При Uкэ = 0 напряжение на коллекторном переходе равно Uбэ, коллекторный переход открыт и инжектирует дырки в базу. Потоки дырок через коллекторный переход (от коллектора и базу и от эмиттера в коллектор) взаимно уравновешиваются и ток Iк ≈ 0. По мере повышения напряжения Uкэ в области I прямое напряжение на коллекторном переходе снижается, его инжекция уменьшается и ток Iк возрастает. На границе с областью II прямое напряжение снимается с коллекторного перехода и в области II на переходе действует обратное напряжение. Точке перехода от области I к области II соответствует напряжение Uкэ порядка 0,5—1,5 В.

 

Слайд 20(2)

Коллекторные характеристики транзистора в схеме ОЭ, записанные в аналитической форме:

, (4.12)

Где — коэффициент передачи тока в схеме ОЭ.

Коэффициент β показывает связь тока коллектора с входным током Iб. Если для транзисторов коэффициент α = 0,9÷0,99, то коэффициент β = 9÷99. Иными словами, транзистор в схеме ОЭ дает усиление по току. Это является важнейшим преимуществом включения транзистора по схеме ОЭ, чем, в частности, определяется более широкое практическое применение этой схемы включения по сравнению со схемой ОБ.

Выражение (4.12) можно переписать в виде

, (4.12 а),

где ;

Так же как и в схеме ОБ, коллекторные характеристики имеют некоторый наклон к оси абсцисс (рис. 4.9, а), вызванный эффектом модуляции базы. Однако этот наклон в схеме ОЭ больше, чем в схеме ОБ, так как малые изменения коэффициента α под действием изменения напряжения на коллекторном переходе дают значительные изменения коэффициента β = α / (1 – α). Указанное явление учитывается вторым слагаемым в правой части уравнения (4.12 а). Дифференциальное сопротивление r к(э) коллекторного перехода в схеме ОЭ в 1 + β раз меньше дифференциального сопротивления r к(б) в схеме ОБ и составляет 30—40 кОм.

 

Предыдущая статья:Слайд 18 Следующая статья:Слайд 21
page speed (0.045 sec, direct)