Всего на сайте:
248 тыс. 773 статей

Главная | Электроника

Слайд 18  Просмотрен 135

Входные характеристики транзистора в схеме ОБ

Входные характеристики транзистора в схеме ОБ (рис. 4.7) представляют собой зависимость и по виду близки к прямой ветви вольт-амперной характеристики р-n-перехода (диода).

Рис. 4.7. Входные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ

Входная характеристика, снятая при большем напряжении Uкб, располагается левее и выше. Это обусловливается эффектом модуляции базы, приводящим к повышению градиента концентрации дырок в базе и увеличению тока Iэ.

 

 

Предыдущая статья:Слайд 17 Следующая статья:Выходные характеристики в схеме с ОЭ
page speed (0.0147 sec, direct)