Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Слайд 17  Просмотрен 94

Рис. 4.6. Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ (а); иллюстрация эффекта модуляции базы в транзисторе (б); зависимость коэффициента передачи тока α от тока эмиттера Iэ (в)

Наличие составляющей теплового тока Iк0 в выражении (4.11) является одной из главных причин температурной зависимости выходных (коллекторных) характеристик транзистора. Влияние температуры приводит к изменению теплового тока Iк0 и смещению характеристик вверх при повышении температуры (пунктирные кривые на рис. 4.6, а) и вниз при ее снижении. Такое же воздействие на коллекторные характеристики (в меньшей степени) оказывает и зависимость от температуры коэффициента передачи тока α. Это обусловлено тем, что в рабочем диапазоне температур наблюдается некоторое увеличение коэффициента передачи тока α с ростом температуры.

Зависимость коэффициента передачи тока α от тока эмиттера в виде кривой с максимумом при некотором токе Iэ приведена на рис. 4.6, в. Увеличение коэффициента передачи тока α и достижение им максимального значения с возрастанием эмиттерного тока объясняется относительным уменьшением числа актов рекомбинаций дырок в базе с ростом количества входящих в нее дырок, т.е. повышением коэффициента переноса δ при увеличении тока Iэ. После достижения максимума последующее уменьшение коэффициента передачи тока α обусловливается уменьшением коэффициента инжекции γ с ростом тока Iэ. Для маломощных транзисторов максимуму коэффициента передачи тока α соответствует ток эмиттера, равный 0,8—3 мА.

Для транзистора существует предел повышения коллекторного напряжения ввиду возможного электрического пробоя коллекторного перехода (область III на рис. 4.6, а), который может перейти в тепловой пробой. Величина допустимого напряжения Uкб указывается в справочниках.

Предыдущая статья:Слайд 16 Следующая статья:Слайд 18
page speed (0.0481 sec, direct)