Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Слайд 16  Просмотрен 91

Рис. 4.6. Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ (а); иллюстрация эффекта модуляции базы в транзисторе (б); зависимость коэффициента передачи тока α от тока эмиттера Iэ (в)

Некоторое возрастание тока Iк на выходных характеристиках при повышении напряжения Uкб вследствие увеличения коэффициента передачи тока α за счет эффекта модуляции базы (рис. 4.6, а) характеризуется дифференциальным сопротивлением коллекторного перехода , которое может быть найдено из коллекторных характеристик как отношение приращений напряжения и тока. Для маломощных транзисторов величина rк(б) составляет 0,5 - 1 МОм.

При Iэ = 0 зависимость Iк = F(Uкб) представляет собой обратную ветвь вольт-амперной характеристики коллекторного р-п-перехода. Обратный ток коллекторного перехода определяет составляющую теплового тока Iк0 в коллекторном токе транзистора.

В области II выходные характеристики практически линейны и дифференциальное сопротивление коллекторного перехода rк(б) можно принять неизменным. Тогда для этой области зависимость Iк = F(Uкб) можно представить в аналитической форме:

(4.11)

Предыдущая статья:Слайд 15 Следующая статья:Слайд 17
page speed (0.0158 sec, direct)