Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Слайд 15  Просмотрен 88

Рис. 4.6. Выходные характеристики транзистора, включенного по схеме ОБ (а); иллюстрация эффекта модуляции базы в транзисторе (б); зависимость коэффициента передачи тока α от тока эмиттера Iэ (в)

Постоянство задаваемого тока Iэ при снятии коллекторных характеристик обусловливает постоянство градиента концентрации дырок dp / dx на границе перехода П1 с базой. В связи с этим кривые распределения концентраций в базе рn2(х) и рn1(х) идут параллельно друг другу. Из рис. 4.6, б следует, что начальные уровни концентраций дырок на границе эмиттерного перехода с базой получаются неодинаковыми, в частности рn1(0) > рn2(0). Это может быть только в случае уменьшения напряжения на переходе П1. Таким образом, изменение тока Iк с изменением напряжения Uк6 при Iэ = const, связанное с изменением коэффициента передачи тока α из-за эффекта модуляции базы, сопровождается также изменением напряжения на эмиттерном переходе. Иными словами, модуляция базы создает внутреннюю обратную связь по напряжению в транзисторе.

Если предположить, что для транзистора задается не ток Iэ, а напряжение Uэб, определяющее напряжение на эмиттерном переходе, то при подаче напряжения Uкб2 > Uкбl концентрация дырок не изменится (рn1(0)= рn2(0)) и кривая рn2(х) примет вид, показанный на рис. 4.6, б пунктирной линией. Больший наклон пунктирной кривой отражает увеличение эмиттерного тока Iэ2 по сравнению с Iэ1, а следовательно, и коллекторного тока. В данном случае изменение тока коллектора при проявлении эффекта модуляции базы наблюдается не только за счет изменения коэффициента передачи тока α, но и за счет обратной связи, влияющей на ток эмиттера.

 

Предыдущая статья:Слайд 13 Следующая статья:Слайд 16
page speed (0.0129 sec, direct)