Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Слайд 10  Просмотрен 114

На рис. 4.4 дана наглядная картина протекания токов через транзистор в рассматриваемой схеме.


В соответствии с изложенным ток эмиттера Iэ равен сумме дырочной Iэр и электронной Iэn составляющих: Iэ = Iэр + Iэn.

Ток коллектора Iк состоит из дырочной составляющей Iкр и теплового тока Iк0 (Iк = Iкр + Iк0). Ток базы Iб равен алгебраической сумме электронной составляющей тока эмиттера Iэn, рекомбинационной дырочной составляющей Iбр и теплового тока Iк0

(Iб = Iэn + Iбр – Iк0).

Управляющее свойство транзистора, характеризующее изменение выходного (коллекторного) тока под действием подводимого входного тока (или напряжения Uэ), обусловливается изменением дырочной составляющей коллекторного тока Iкp за счет изменения дырочной составляющей эмиттерного тока Iэр (рис. 4.4). Таким образом, принцип действия биполярного транзистора основан на создании транзитного (проходящего) потока носителей заряда из эмиттера в коллектор через базу и управлении коллекторным (выходным) током за счет изменения эмиттерного (входного) тока. Следовательно, биполярный транзистор управляется током.

Основное соотношение для токов транзистора составляется по первому закону Кирхгофа:

Iэ = Iк + Iб. (4.8)

С учетом теплового тока Iк0 и соотношения (1.21) токи Iк и Iб можно выразить через Iэ:

Iк = αIэ + Iк0. (4.9)

Iб = (1 – α) Iэ – Iк0 (4.10)

Предыдущая статья:Слайд 9 Следующая статья:Слайд 11
page speed (0.0177 sec, direct)