Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Электроника

Слайд 9  Просмотрен 99

Рис. 4.3. Транзисторная структура типа p-n-p (а), распределение концентраций носителей заряда (б), и внутренней разности потенциалов (в) при наличии внешних напряжений   Коллекторного p-n-перехода, предназначенного для перевода дырок, достигших этого перехода, в коллекторную область (рис. 4.3, в). Коллекторный ток транзистора Iк, обусловленный дырочной составляющей Iкp (рис. 4.3, а), связан с током эмиттера Iэ коэффициентом передачи тока α: α = Iкр / Iэ. (4.6) Умножив числитель и знаменатель равенства (4.6) на Iэр, получим Следовательно, коэффициент передачи тока α тем ближе к 1, чем меньше отличаются от 1 коэффициент инжекции γ и коэффициент переноса δ. Способы приближения к 1 коэффициента передачи тока α связаны со способами увеличения коэффициентов γ и δ (увеличение разности концентраций основных носителей заряда в слоях эмиттера и базы, увеличение времени жизни дырок в базе, уменьшение ширины базового слоя, создание ускоряющего поля в слое базы). Наличие коллекторного перехода, включенного в обратном направлении, приводит к появлению дополнительной неуправляемой составляющей тока коллектора, обусловленной протеканием обратного тока коллекторного перехода Iк0 (рис. 4.3, а). Как известно, обратный ток создается дрейфом неосновных носителей заряда из близлежащих областей обратно включенного p-n-перехода, в данном случае концентрациями дырок рn0 в базе и электронов nр0 в коллекторе (см. рис. 4.2, б). Поскольку концентрации неосновных носителей заряда зависят от температуры, величина обратного тока также зависит от нее, поэтому этот ток часто называют тепловым. От величины тока эмиттера ток Iк0 не зависит.  

 

 

Предыдущая статья:Слайд 6 Следующая статья:Слайд 10
page speed (0.0186 sec, direct)