Всего на сайте:
282 тыс. 988 статей

Главная | Электроника

Слайд 13  Просмотрен 166

    Рисунок 4 – Полупроводниковый диод при включении внешнего напряжения в прямом направлении: а) схема включения; б) потенциальный барьер при прямом напряжении; в) распределение концентраций носителей заряда; г) прямая ветвь вольт амперной характеристики Рассмотрим распределение неравновесных концентраций носителей заряда в прилегающих к p-n-переходу слоях (рис. 4, в), создаваемых диффузией носителей через смещенный в прямом направлении p-n-переход. При прямом смещении p-n-перехода диффузионные составляющие тока существенно превышают дрейфовые составляющие. В связи с этим избыточные концентрации неравновесных носителей заряда в прилегающих к p-n-переходу слоях, создаваемые диффузией носителей через p-n-переход, будут значительно превышать снижение концентрации одноименных (неосновных) носителей заряда, создаваемое вследствие их ухода через p-n-переход за счет дрейфа. Иными словами, граничные концентрации электронов nр(0) и дырок рn(0), а также распределение концентрации nр(х) и р n(х) в прилегающих к переходу слоях (рис.4, б) будут определяться входящими в эти слои в результате диффузии через p-n-переход электронами и дырками. Граничные концентрации входящих в р-слой электронов nр(0) и в n-слой дырок рn(0) влияют на градиенты концентрации неравновесных носителей заряда на границе с p-n-переходом и тем самым определяют соответственно диффузионные составляющие токов Jдиф n и Jдиф р, протекающие через p-n-переход. Граничные концентрации неосновных носителей заряда связаны с прямым напряжением на p-n-переходе соотношениями: где nр0 — равновесная концентрация электронов в р-слое; рn0 — равновесная концентрация дырок в n-слое.
Предыдущая статья:Слайд 12 Следующая статья:Слайд 14.1
page speed (0.0309 sec, direct)