Всего на сайте:
282 тыс. 988 статей

Главная | Электроника

Слайд 9  Просмотрен 179

Рис. 3 Образование p-n-перехода в p-n-структуре полупроводника: а) p-n-структура полупроводника; б) распределение концентраций носителей заряда; в) составляющи е тока в р-n-переходе; г) распределение заряда; д) диаграмма напряженности поля; е) потенциальный барьер в p-n-переходе Высота потенциального барьера зависит от температуры ввиду зависимости от нее теплового потенциала и концентрации неосновных носителей заряда в слоях полупроводниковой структуры. Более сильное влияние температуры на концентрацию неосновных носителей заряда, чем влияние на величину φТ, приводит к тому, что с ростом температуры высота потенциального барьера уменьшается. При комнатной температуре для германия φ0 = 0,3÷0,5 В, а для кремния φ0 = 0,6÷0,8 В. Различие в значениях φ0 объясняется большей величиной ширины запрещенной зоны ΔWз в кремнии и, следовательно, меньшей концентрацией неосновных носителей заряда (при одинаковой температуре и одинаковых концентрациях внесенных примесей). Уход неосновных носителей заряда через p-n-переход из прилегающих к нему слоев, казалось бы, должен привести к уменьшению их концентрации с приближением к границе p-n-перехода. Вместе с тем концентрации неосновных носителей заряда в прилегающих к p-n-переходу слоях сохраняются на уровнях рn и nр (рис. 3,б), так как в условиях динамического равновесия уменьшение концентрации неосновных носителей заряда за счет их ухода через p-n-переход будет постоянно восполняться носителями того же знака за счет их диффузии из противоположных слоев.  
Предыдущая статья:Слайд 8 Следующая статья:Прямая ветвь вольт-амперной характеристики p-n-перехода
page speed (0.0147 sec, direct)