Всего на сайте:
282 тыс. 988 статей

Главная | Электроника

Слайд 5  Просмотрен 153

Рис. 3 Образование p-n-перехода в p-n-структуре полупроводника: а) p-n-структура полупроводника; б) распределение концентраций носителей заряда; в) составляющи е тока в р-n-переходе; г) распределение заряда; д) диаграмма напряженности поля; е) потенциальный барьер в p-n-переходе В германиевых и кремниевых диодах двухслойная p-n-структура (рис. 3а) создается введением в один из слоев монокристалла акцепторной примеси, а в другой — донорной примеси. При комнатной температуре атомы акцепторов и доноров можно считать полностью ионизированными, т.е. практически все акцепторные атомы присоединяют к себе электроны, создавая при этом дырки, а донорные атомы отдают свои электроны, которые становятся свободными. Кроме основных носителей заряда в каждом из слоев имеются неосновные носители заряда, создаваемые путем перехода электронов основного материала из валентной зоны в зону свободных уровней. На практике наибольшее распространение получили p-n-структуры с неодинаковой концентрацией внесенных акцепторной Nа и донорной Nд примесей, т.е. с неодинаковой концентрацией основных носителей заряда в слоях рр ≈ Nа и nn ≈ Nд. Типичными являются структуры с Na >> Nд (pp >> nn). Распределение концентраций носителей заряда для таких структур показано на рис. 3б на примере германия, где приняты рр = 1018 см–3, nn = 1015 см–3. Концентрация собственных носителей заряда в германии при комнатной температуре ni = 2,5·1013 см–3. Концентрации неосновных носителей заряда, существенно меньшие концентраций основных носителей заряда соответствии с (1.2) (1.2) и составят для рассматриваемой структуры в np ≈109 см–3, рn = 1012 см–3.
Предыдущая статья:Слайд 4 Следующая статья:Слайд 6
page speed (0.0226 sec, direct)