Всего на сайте:
236 тыс. 713 статей

Главная | Физика

Приложение. Некоторые параметры полупроводников Si ..  Просмотрен 308

Некоторые параметры полупроводников

 

  Si Ge GaAs InSb
Период решетки, Ǻ 5.42 5.65 5.67 6.48
Ширина запрещенной зоны, эВ 1.1 0.67 1.43 0.18
Температура плавления, °С     
Концентрация примеси, м–3 (300 К) 2.8 1016 2.3 1019 2 1012 1.5 1022
Подвижность, см2/(В·с), μn     
Подвижность, см2/(В·с), μp     

 

Контрольные вопросы:

1. Поведение носителей заряда при одновременном действии на них электрического и магнитного поля. Сила Лоренца;

2. Какие физические явления называются кинетическими?

3. В чем сущность эффекта Холла?

4. Какие физические параметры полупроводников можно определить с помощью эффекта Холла?

5. Как, с помощью эффекта Холла, можно определить тип проводимости полупроводника?

6. Объясните механизм возникновения холловской разности потенциалов.

7. Что такое концентрация носителей заряда? Что такое подвижность носителей заряда?

8. Применение эффекта Холла.

Литература

 

1. Шалимова К.В. Физика полупроводников / К.В. Шалимова. – М. : Энергоатомиздат, 1985. – 395 с.

2. Бонч-Бруевич В.Л. Физика полупроводников / В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. – М. : Наука, 1990. – 685 с.

3. Ю. Питер. Основы физики полупроводников / Ю. Питер, Мануэль Кардона; пер. И.И. Решиной ; под ред. Б.П. Захарченя. – 3-е изд. – М. Физматлит, 2002. – 560 с.

4. Савельев И.В. Курс общей физики, т. 2. – М.: Наука, 1987, с. 165 – 180.

5. Савельев И.В. Курс физики, т .2. – М.: Наука, 1989, с. 190 – 196.

6. Наркевич И.И. Физика: Учеб./ И.И. Наркевич, Э.И. Волмянский, С.И. Лобко. – Мн.: Новое знание, 2004, с. 355 – 360/

7. Трофимова Т.И.Курс физики: учеб. пособие для вузов./ Т.И. Трофимова. – М.: «Академия», 2007, с. 209 – 214.

 

Предыдущая статья:Определение коэффициента Холла, концентрации и подвижности носителей заряда. Следующая статья:Компенсационный метод измерений
page speed (0.2776 sec, direct)