Всего на сайте:
210 тыс. 306 статей

Главная | Электроника

В зависимости от степени заполнения зон электронами и ширины запрещенной зоны возможны четыре случая.  Просмотрен 393

Самая верхняя зона, содержащая электроны, за­полнена лишь частично, т. е. в ней имеют­ся вакантные уровни. В данном случае электрон, получив сколь угодно малую энергетическую «добавку» (например, за счет теплового движения или электриче-



ского поля), сможет перейти на более высокий энергетический уровень той же зоны, т. е. стать свободным и участвовать в проводимости.

Твердое тело является проводником электрического тока и в том случае, когда валентная зона перекрывается свободной зоной, что в конечном счете приводит к не полностью заполненной зоне . Это имеет место для щелочноземельных элементов, образующих II группу таблицы Менделеева (Be, Mg, Ca, Zn, ...). В дан­ном случае образуется так называемая «гибридная» зона, которая заполняется валентными электронами лишь частично. Следовательно, в данном случае металли­ческие свойства щелочноземельных эле­ментов обусловлены перекрытием валент­ной и свободной зон.

Помимо рассмотренного выше пере­крытия зон возможно также перераспре­деление электронов между зонами, воз­никающими из уровней различных атомов, которое может привести к тому, что вместо двух частично заполненных зон в кристалле окажутся одна целиком за­полненная (валентная) зона и одна сво­бодная зона (зона проводимости). Твер­дые тела, у которых энергетический спектр электронных состояний состоит только из валентной зоны и зоны проводимости, являются диэлектриками или полупроводниками в зависимости от ши­рины запрещенной зоны DE.

Если ширина запрещенной зоны кристалла порядка нескольких электрон-вольт, то тепловое движение не может перебросить электроны из валентной зоны в зону проводимости и кристалл является диэлектриком, оставаясь им при всех ре­альных температурах. Если запрещенная зона достаточно узка (DE порядка 1 эВ), то переброс электронов из валентной зоны в зону проводимости может быть осуществлен сравнительно легко либо путем теплового возбуждения, либо за счет внешнего источника, спо­собного передать электронам энергию DE, и кристалл является полупроводником.

Предыдущая статья:Понятие о квантовой теории теплоемкости. Фононы Следующая статья:Собственная проводимость полупроводников
page speed (0.5763 sec, direct)